詳細情報 |
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製品カテゴリ:: | MOSFET | 様式の取付け: | SMD/SMT |
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パッケージ/場合: | TDSON-8 | トランジスター極性:: | N-Channel |
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧: | 60V | 製品名: | IPG20N06S4L14AATMA1 |
ハイライト: | IPG20N06S4L14AATMA1力トランジスター,力トランジスターNチャネルMOSFET 40V,トランジスターIC破片MOSFET 40V 60V |
製品の説明
IPG20N06S4L14AATMA1力トランジスターNチャネルMOSFET 40V 60V
OptiMOS T2のパワー トランジスター
特徴
•二重N-channelの論理のレベル-強化モード
•AEC Q101は修飾した
•260°Cピークの退潮までのMSL1
•175°C実用温度
•緑プロダクト(迎合的なRoHS)
•100%のなだれはテストした
•自動光学点検(AOI)のために実行可能
MOSFET | |
RoHS: | 細部 |
Si | |
SMD/SMT | |
TDSON-8 | |
N-Channel | |
2チャネル | |
60ボルト | |
20 A | |
13.7のmOhms | |
- 16ボルト、+ 16ボルト | |
1.7 V | |
39 NC | |
- 55 C | |
+ 175 C | |
50 W | |
強化 | |
AEC-Q101 | |
巻き枠 | |
テープを切りなさい | |
MouseReel | |
構成: | 二重 |
高さ: | 1.27 mm |
長さ: | 5.9 mm |
製品タイプ: | MOSFET |
工場パックの量: | 5000 |
下位範疇: | MOSFETs |
トランジスター タイプ: | 1つのN-Channel |
幅: | 5.15 mm |
部分#別名: | IPG20N06S4L-14A SP001023846 |
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