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商品の詳細:
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| 起源の場所: | 原物 |
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| ブランド名: | original |
| 証明: | ISO9001:2015standard |
| モデル番号: | FCB36N60NTM |
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お支払配送条件:
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| 最小注文数量: | 10pcs |
| 価格: | 3-5.00USD/pc |
| パッケージの詳細: | 管、巻き枠、皿 |
| 受渡し時間: | 2-3仕事日 |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオン、PayPay |
| 供給の能力: | 1000PCS/Months |
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詳細情報 |
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| トランジスター極性: | Nチャネル | チャネルの数: | 1つのチャネル |
|---|---|---|---|
| Vds -下水管源の絶縁破壊電圧: | 600V | Rdsのオン下水管源の抵抗: | 90のmOhms |
| Pd -電力損失: | 312 W | 構成: | 単一 |
| ハイライト: | FCB36N60NTMのトランジスターIC破片,FCB36N60NTM MOSFETのトランジスター,MOSFETのトランジスターNチャネル600V |
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製品の説明
FCB36N60NTM MOSFETのトランジスター分離した半導体の原物
| 製品特質 | 属性値 |
| 製品カテゴリ: | MOSFET |
| 技術: | Si |
| 様式の取付け: | SMD/SMT |
| パッケージ/場合: | SC-70-3 |
| トランジスター極性: | N-Channel |
| チャネルの数: | 1つのチャネル |
| Vds -下水管源の絶縁破壊電圧: | 600ボルト |
| ID -連続的な下水管の流れ: | 36 A |
| Rdsのオン下水管源の抵抗: | 90のmOhms |
| Vgs -ゲート源の電圧: | - 30ボルト、+ 30ボルト |
| VgsのTh -ゲート源の境界の電圧: | 4ボルト |
| Qg -ゲート充満: | 112 NC |
| 最低の実用温度: | - 55 C |
| 最高使用可能温度: | + 150 C |
| Pd -電力損失: | 312 W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 包装: | 巻き枠 |
| 包装: | テープを切りなさい |
| 包装: | MouseReel |
| 構成: | 単一 |
| 落下時間: | 4 ns |
| 前方相互コンダクタンス-分: | 41 S |
| 高さ: | 4.83 mm |
| 長さ: | 10.67 mm |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 上昇時間: | 22 ns |
| シリーズ: | FCB36N60N |
| 工場パックの量: | 800 |
| 下位範疇: | MOSFETs |
| トランジスター タイプ: | 1つのN-Channel |
| 典型的なTurn-Off遅れ時間: | 94 ns |
| 典型的なTurn-On遅れ時間: | 23 ns |
| 幅: | 9.65 mm |
| 単位重量: | 4 g |
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