詳細情報 |
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トランジスター極性: | NPN | 構成: | 単一 |
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Pd -電力損失: | 625mW | 利益帯域幅プロダクトfT: | 60のMHz |
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO: | 25ボルト | 最高DCのコレクター流れ: | 0.5 A |
ハイライト: | BJTの分離した半導体625mW,MPS6560両極トランジスター,MPS6560分離した半導体 |
製品の説明
MPS6560両極トランジスターBJT分離した半導体の原物
製品特質 | 属性値 |
製品カテゴリ: | 両極トランジスター- BJT |
トランジスター極性: | NPN |
構成: | 単一 |
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO: | 25ボルト |
コレクターの基礎電圧VCBO: | 25ボルト |
エミッターの基礎電圧VEBO: | 5ボルト |
最高DCのコレクター流れ: | 0.5 A |
Pd -電力損失: | 625 MW |
利益帯域幅プロダクトfT: | 60のMHz |
最低の実用温度: | - 55 C |
最高使用可能温度: | + 150 C |
DCのコレクター/基礎利益hFE分: | 10 mAの35、1ボルト |
製品タイプ: | BJTs -両極トランジスター |
下位範疇: | トランジスター |
技術: | Si |
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