詳細情報 |
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様式の取付け: | 穴を通して | パッケージ/場合:: | TO-39-3 |
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包装:: | 大きさ | 下位範疇:: | EEPROM |
下位範疇: | トランジスター | Pd -電力損失:: | 800 MW |
ハイライト: | 2N3439バイポーラ トランジスタ,穴TO393を通したバイポーラ トランジスタ,2N3439トランジスターIC破片 |
製品の説明
穴TO-39-3を通した2N3439分離した半導体の両極トランジスター
製造業者: | 元 |
製品カテゴリ: | 両極トランジスター- BJT |
RoHS: | N |
様式の取付け: | 穴を通して |
パッケージ/場合: | TO-39-3 |
トランジスター極性: | NPN |
構成: | 単一 |
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO: | 350ボルト |
コレクターの基礎電圧VCBO: | 450ボルト |
エミッターの基礎電圧VEBO: | 7ボルト |
Collector-Emitterの飽和電圧: | 500 mV |
最高DCのコレクター流れ: | 1 A |
Pd -電力損失: | 800 MW |
利益帯域幅プロダクトfT: | - |
最低の実用温度: | - 65 C |
最高使用可能温度: | + 200 C |
包装: | 大きさ |
ブランド: | 元 |
製品タイプ: | BJTs -両極トランジスター |
工場パックの量: | 1 |
下位範疇: | トランジスター |
技術: | Si |
単位重量: | 0.213044 oz |
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