Walton Electronics Co., Ltd.

2N3439穴TO393を通したバイポーラ トランジスタICの破片

商品の詳細:
起源の場所: 原物
ブランド名: original
証明: ISO9001:2015standard
モデル番号: 2N3439
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最小注文数量: 10pcs
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パッケージの詳細: 標準
受渡し時間: 1-3仕事日
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供給の能力: 10000pcs/月
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詳細情報

様式の取付け: 穴を通して パッケージ/場合:: TO-39-3
包装:: 大きさ 下位範疇:: EEPROM
下位範疇: トランジスター Pd -電力損失:: 800 MW
ハイライト:

2N3439バイポーラ トランジスタ

,

穴TO393を通したバイポーラ トランジスタ

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2N3439トランジスターIC破片

製品の説明

穴TO-39-3を通した2N3439分離した半導体の両極トランジスター

 

2N3439穴TO393を通したバイポーラ トランジスタICの破片 0

 

 

製造業者:
製品カテゴリ: 両極トランジスター- BJT
RoHS: N
様式の取付け: 穴を通して
パッケージ/場合: TO-39-3
トランジスター極性: NPN
構成: 単一
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO: 350ボルト
コレクターの基礎電圧VCBO: 450ボルト
エミッターの基礎電圧VEBO: 7ボルト
Collector-Emitterの飽和電圧: 500 mV
最高DCのコレクター流れ: 1 A
Pd -電力損失: 800 MW
利益帯域幅プロダクトfT: -
最低の実用温度: - 65 C
最高使用可能温度: + 200 C
包装: 大きさ
ブランド:
製品タイプ: BJTs -両極トランジスター
工場パックの量: 1
下位範疇: トランジスター
技術: Si
単位重量: 0.213044 oz

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