詳細情報 |
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製品名: | MRF9045LR1 | 製品カテゴリ: | RFの両極トランジスター |
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技術: | Si | 製品タイプ: | RFの両極トランジスター |
利益: | 18.8dB | 様式の取付け: | SMD/SMT |
ハイライト: | MRF9045LR1 RFの両極トランジスター,RFの両極トランジスター18.8dB,ASI MRF9045LR1 |
製品の説明
MRF9045LR1TRANSISTORS RFの在庫の両極トランジスターSi原物
ASI MRF9045LR1は金金属で処理される高圧である
横に拡散させた金属酸化膜半導体。今日のための理想
RFの電力増幅器の塗布。
RF MOSFETのトランジスター | |
RoHS: | 細部 |
N-Channel | |
Si | |
4.25 A | |
65ボルト | |
945のMHz | |
18.8のdB | |
60 W | |
SMD/SMT | |
NI-360 | |
皿 | |
構成: | 単一 |
前方相互コンダクタンス-分: | 3 S |
Pd -電力損失: | 117 W |
製品タイプ: | RF MOSFETのトランジスター |
下位範疇: | MOSFETs |
タイプ: | RF力MOSFET |
Vgs -ゲート源の電圧: | 15ボルト |
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧: | 4.8 V |
単位重量: | 0.032480 oz |
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