Walton Electronics Co., Ltd.

ASI MRF9045LR1のトランジスターRF両極トランジスター18.8dB

商品の詳細:
起源の場所: 原物
ブランド名: original
証明: ISO9001:2015standard
モデル番号: MRF9045LR1
お支払配送条件:
最小注文数量: 10pcs
価格: 9.43-9.88SD/PCS
パッケージの詳細: 標準
受渡し時間: 2-3仕事日
支払条件: L/C、palpayウェスタン・ユニオン
供給の能力: 1000PCS/Months
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  • 製品の説明

詳細情報

製品名: MRF9045LR1 製品カテゴリ: RFの両極トランジスター
技術: Si 製品タイプ: RFの両極トランジスター
利益: 18.8dB 様式の取付け: SMD/SMT
ハイライト:

MRF9045LR1 RFの両極トランジスター

,

RFの両極トランジスター18.8dB

,

ASI MRF9045LR1

製品の説明

MRF9045LR1TRANSISTORS RFの在庫の両極トランジスターSi原物

 

ASI MRF9045LR1は金金属で処理される高圧である

横に拡散させた金属酸化膜半導体。今日のための理想

 RFの電力増幅器の塗布。

 

ASI MRF9045LR1のトランジスターRF両極トランジスター18.8dB 0

 

RF MOSFETのトランジスター
RoHS: 細部
N-Channel
Si
4.25 A
65ボルト
945のMHz
18.8のdB
60 W
SMD/SMT
NI-360
構成: 単一
前方相互コンダクタンス-分: 3 S
Pd -電力損失: 117 W
製品タイプ: RF MOSFETのトランジスター
下位範疇: MOSFETs
タイプ: RF力MOSFET
Vgs -ゲート源の電圧: 15ボルト
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧: 4.8 V
単位重量: 0.032480 oz
典型的な2
945のMHz、28ボルトの調子の性能
出力電力—PEP 45ワットの
力の利益—18.8のdB
効率—42%
IMD —
32 dBc
統合されたESDの保護
最高の利益および挿入段階の平坦のために設計されている
10:1 VSWRを、@ 28 Vdc扱うことができる、945のMHz、CW 45ワットの
出力電力
優秀な熱安定性
大きいシリーズ等量と特徴付けられる
信号のインピーダンス変数
テープおよび巻き枠。R1接尾辞= 1 32のmmあたり500単位、13インチの巻き枠。
鉛の低い金張りの厚さ。L接尾辞は40を示す
μの′の′
Nomin
典型的な2
945のMHz、28ボルトの調子の性能
出力電力—PEP 45ワットの
力の利益—18.8のdB
効率—42%
IMD —
32 dBc
統合されたESDの保護
最高の利益および挿入段階の平坦のために設計されている
10:1 VSWRを、@ 28 Vdc扱うことができる、945のMHz、CW 45ワットの
出力電力
優秀な熱安定性
大きいシリーズ等量と特徴付けられる
信号のインピーダンス変数
テープおよび巻き枠。R1接尾辞= 1 32のmmあたり500単位、13インチの巻き枠。
鉛の低い金張りの厚さ。L接尾辞は40を示す
μの′の′
Nomin
典型的な2
945のMHz、28ボルトの調子の性能
出力電力—PEP 45ワットの
力の利益—18.8のdB
効率—42%
IMD —
32 dBc
統合されたESDの保護
最高の利益および挿入段階の平坦のために設計されている
10:1 VSWRを、@ 28 Vdc扱うことができる、945のMHz、CW 45ワットの
出力電力
優秀な熱安定性
大きいシリーズ等量と特徴付けられる
信号のインピーダンス変数
テープおよび巻き枠。R1接尾辞= 1 32のmmあたり500単位、13インチの巻き枠。
鉛の低い金張りの厚さ。L接尾辞は40を示す
μの′の′
Nomin
典型的な2
945のMHz、28ボルトの調子の性能
出力電力—PEP 45ワットの
力の利益—18.8のdB
効率—42%
IMD —
32 dBc
統合されたESDの保護
最高の利益および挿入段階の平坦のために設計されている
10:1 VSWRを、@ 28 Vdc扱うことができる、945のMHz、CW 45ワットの
出力電力
優秀な熱安定性
大きいシリーズ等量と特徴付けられる
信号のインピーダンス変数
テープおよび巻き枠。R1接尾辞= 1 32のmmあたり500単位、13インチの巻き枠。
鉛の低い金張りの厚さ。L接尾辞は40を示す
μの′の′
Nomin
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
5
1
RF装置データ
フリースケール・セミコンダクタ
RF力の電界効果トランジスタ
N
チャネルの強化
モード側面MOSFETs
設計されている
frequen-との広帯域商業および産業適用のため
cies 1000までのMHz。高いga
およびこれらの広帯域性能
装置はそれらを大きいにとって理想的にさせる
共通信号
源のアンプのapplica-
28ボルトの基地局装置のtions。
典型的な2
945のMHz、28ボルトの調子の性能
出力電力—PEP 45ワットの
力の利益—18.8のdB
効率—42%
IMD —
32 dBc
統合されたESDの保護
最高の利益および挿入段階の平坦のために設計されている
10:1 VSWRを、@ 28 Vdc扱うことができる、945のMHz、CW 45ワットの
出力電力
優秀な熱安定性
大きいシリーズ等量と特徴付けられる
信号のインピーダンス変数
テープおよび巻き枠。R1接尾辞= 1 32のmmあたり500単位、13インチの巻き枠。
鉛の低い金張りの厚さ。L接尾辞は40を示す
μの′の′
いいえ

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