詳細情報 |
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製品の説明: | RS-422インターフェイス集積回路 | インストールスタイル: | SMD/SMT |
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パッケージ/場合: | TSSOP-16 | シリーズ: | AM26C32 |
データ転送速度: | 10 Mb/s | 包装: | 2年ごとの巻き枠の切口のテープ/MouseReel |
単位重量: | 62 mg | ||
ハイライト: | AM26C32IPWRの集積回路,10 Mb/s Rs-422インターフェイスIC |
製品の説明
AM26C32四倍の差動ライン受信機
1特徴
•ANSI TIA/EIA-422-B、TIA/EIA-423-BおよびITUの推薦V.10およびV.11の条件を満たすか、または超過する
•mA典型的な低い電力、ICC = 10
•±200 mV感受性の±7-V共通モード範囲
•入れられたヒステリシス:典型的な60 mV
•tpd =典型的な17 ns
•単一5-V供給から作動する
•3州の出力
•入れられたフェイル・セイフ回路部品
•AM26LS32装置のための改良された取り替え
•自動車Q臨時雇用者で利用できる
2つの適用
•高信頼性の自動車適用
•工場自動化
•自動支払機および現金カウンター
•スマートな格子
•ACおよびサーボ モーター ドライブ
3記述
AM26C32装置は釣り合ったか不均衡なデジタル データ伝送のための四倍の差動ライン受信機である。機能をで、すべての4台の受信機に共通提供する活動的の高さか活動的低い入力の選択を可能にしなさい。
3州はbusorganizedシステムへの割り当ての関係を直接出力する。フェイルセーフ設計は入力が開いていれば、出力は高い常にことを指定する。
AM26C32装置は両極およびCMOSのトランジスターの組合せであるBiCMOSプロセスを使用して製造される。このプロセスはCMOSの低い電力をACおよびDCの性能を維持している間両極の高圧そして流れに標準的なAM26LS32のそれ約5分の1のにパワー消費量を減らす与える。
装置情報(1)
Pin機能
PIN |
入力/出力 |
記述 |
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名前 |
LCCC |
SOIC、PDIP、そう、TSSOP、CFP、またはCDIP |
||
1A |
3 |
2 |
私 |
RS422/RS485差動入力(noninverting) |
1B |
2 |
1 |
私 |
RS422/RS485差動入力(逆になること) |
1Y |
4 |
3 |
O |
論理のレベルの出力 |
2A |
8 |
6 |
私 |
RS422/RS485差動入力(noninverting) |
2B |
9 |
7 |
私 |
RS422/RS485差動入力(逆になること) |
2Y |
7 |
5 |
O |
論理のレベルの出力 |
3A |
13 |
10 |
私 |
RS422/RS485差動入力(noninverting) |
3B |
12 |
9 |
私 |
RS422/RS485差動入力(逆になること) |
3Y |
14 |
11 |
O |
論理のレベルの出力 |
4A |
18 |
14 |
私 |
RS422/RS485差動入力(noninverting) |
4B |
19 |
15 |
私 |
RS422/RS485差動入力(逆になること) |
4Y |
17 |
13 |
O |
論理のレベルの出力 |
G |
5 |
4 |
私 |
活動的の高さ選びなさい |
G |
15 |
12 |
私 |
活動的低い選びなさい |
GND |
10 |
8 |
— |
地面 |
NC (1) |
1 |
— |
— |
接続してはいけない |
6 |
||||
11 |
||||
16 |
||||
VCC |
20 |
16 |
— |
電源 |
(1) NC –内部関係無し。
指定
分MAX | 単位 | ||
VCC供給電圧(2) | 7 | V | |
VI入れられた電圧 | またはBの入力 | – 11 14 |
V |
GまたはGの入力 | – 0.5 VCC + 0.5 | ||
VIDの差動入力電圧 | – 14 14 | V | |
VOの出力電圧 | – 0.5 VCC + 0.5 | V | |
IOの出力電流 | ±25 | mA | |
Tstgの保管温度 | -65 150 | °C |
(1)絶対最高評価の下にリストされているそれらを越える圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれない。これらはこれらで装置または推薦された作動条件の下で示されるそれらを越える他のどの条件の機能操作も意味しない圧力の評価だけである。長期の絶対最高評価される条件への露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。
(2)すべての電圧価値は、差動電圧を除いてネットワークのアース端子に関して、ある。
価値 | 単位 | ||
V (ESD)の静電放電 |
ANSI/ESDA/JEDEC JS-ごとの人体モデル(HBM)、001(1) | ±3000 |
V |
JEDECの指定JESD22- Cごとの満た装置モデル(CDM)、101(2) | ±2000 |
(1) 500-V HBMが標準的なESD制御プロセスの安全な製造業を可能にすることをJEDEC文書JEP155は示す。
(2) 250-V CDMが標準的なESD制御プロセスの安全な製造業を可能にすることをJEDEC文書JEP157は示す。
分 | NOM | MAX | 単位 | |||
VCC | 供給電圧 | 4.5 | 5 | 5.5 | V | |
VIH | 高レベル入力電圧 | 2 | Vcc | V | ||
VIL | 低レベルの入力電圧 | 0 | 0.8 | V | ||
ビック | 共通モード入力電圧 | -7 | +7 | V | ||
IOH | 高レベル出力電流 | – 6 | mA | |||
IOL | 低レベルの出力電流 | 6 | mA | |||
TA |
作動の自由空気温度 |
AM26C32C | 0 | 70 |
°C |
|
AM26C32I | – 40 | 85 | ||||
AM26C32Q | – 40 | 125 | ||||
AM26C32M | – 55 | 125 |
熱メートル(1) |
AM26C32 |
単位 |
|||
D (SOIC) | N (PDIP) | NS (そう) | PW (TSSOP) | ||
16のピン | 16のピン | 16のピン | 16のピン | ||
RθJAの接続点に包囲された熱抵抗 | 73 | 67 | 64 | 108 | °C/W |
(1)従来および新しい熱測定基準についてのより多くの情報については、半導体およびICのパッケージの熱測定基準の適用レポート、SPRA953を見なさい。
変数 | テスト条件 | 分 | タイプ(1) | MAX | 単位 | ||
VIT+ | 差動入力高境界の電圧 |
VO = VOH (分)、IOH = – 440 µA |
ビック= – 7ボルトから7ボルト | 0.2 |
V |
||
ビック= 0ボルトから5.5ボルト | 0.1 | ||||||
VIT- | 差動入力低境界の電圧 | VO = 0.45ボルト、IOL = 8 mA | ビック= – 7ボルトから7ボルト | – 0.2(2) |
V |
||
ビック= 0ボルトから5.5ボルト | – 0.1(2) | ||||||
Vhys | ヒステリシスの電圧(VIT + – VITの−) | 60 | mV | ||||
VIK | 入力クランプ電圧を可能にしなさい | VCCの= 4.5ボルト、II = – 18 mA | – 1.5 | V | |||
VOH | 高レベル出力電圧 | VID = 200 mV、IOH = – 6 mA | 3.8 | V | |||
VOL. | 低レベルの出力電圧 | VID = – 200 mV、IOL = 6 mA | 0.2 | 0.3 | V | ||
IOZ | オフ状態の(high-impedance州の)出力電流 | VO = VCCまたはGND | ±0.5 | ±5 | µA | ||
II |
ライン入力電流 |
VIの= 10ボルトの0ボルトの他の入力 | 1.5 | mA | |||
VI = – 10ボルトの0ボルトの他の入力 | – 2.5 | mA | |||||
IIH | High-levelは現在を可能にする | VIの= 2.7ボルト | 20 | μA | |||
IIL | 低レベル流れを可能にしなさい | VIの= 0.4ボルト | – 100 | μA | |||
ri | 入力抵抗 | ひくべき1つの入力 | 12 | 17 | kΩ | ||
ICC | 静止供給の流れ | VCCの= 5.5ボルト | 10 | 15 | mA |
(1)すべての典型的な価値はVCC = 5ボルト、ビック= 0、およびTA = 25°C.にある。
(2)より少ないより否定的な陽性の()限界が最低と示されれば代数大会は共通モード入力電圧のためにこのデータ用紙で、使用される。
変数 |
テスト条件 |
AM26C32C AM26C32I | AM26C32Q AM26C32M |
単位 |
|||||
分 | タイプ(1) | MAX | 分 | タイプ(1) | MAX | ||||
tPLH | 高レベル出力に低伝搬遅延の時間 |
図2を見なさい |
9 | 17 | 27 | 9 | 17 | 27 | ns |
tPHL | 低レベルの出力に高伝搬遅延の時間 | 9 | 17 | 27 | 9 | 17 | 27 | ns | |
tTLH | 高レベル出力に低出力遷移時間 |
図2を見なさい |
4 | 9 | 4 | 10 | ns | ||
tTHL | 低レベルの出力に高出力遷移時間 | 4 | 9 | 4 | 9 | ns | |||
tPZH | 出力はhigh-levelにイネーブル タイムを |
図3を見なさい |
13 | 22 | 13 | 22 | ns | ||
tPZL | 出力は低レベルにイネーブル タイムを | 13 | 22 | 13 | 22 | ns | |||
tPHZ | high-levelからの出力ディスエイブル時間 |
図3を見なさい |
13 | 22 | 13 | 26 | ns | ||
tPLZ | 低レベルからの出力ディスエイブル時間 | 13 | 22 | 13 | 25 | ns |
(1)すべての典型的な価値はVCCの= 5ボルト、TA = 25°C.にある。
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