詳細情報 |
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設置様式: | SMD/SMT | パッケージ/場合: | TSOP-56 |
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収蔵可能量: | 1 Gbit | 製品タイプ: | 抜け目がない |
単位重量: | 17.214g | ||
ハイライト: | S29GL01GS10TFI010記憶IC,TSOP-56記憶IC,フラッシュ・メモリIC |
製品の説明
S29GL01GS10TFI010半導体メモリーICフラッシュ1G 3V 100NSの平行抜け目がない集積回路
指定:
記憶容量: | 1 Gbit |
供給電圧-分: | 2.7 V |
最高供給電圧-: | 3.6 V |
インターフェイスの種類: | 平行 |
構成: | 64のM X 16 |
データ・バス幅: | 16ビット |
タイミングのタイプ: | 非同期 |
最低の実用温度: | - 40 C |
最高使用可能温度: | + 85 C |
包装: | 皿 |
建築: | 食 |
記憶タイプ: | |
敏感な湿気: | はい |
速度: | 100 ns |
工場パックの量: | 910 |
下位範疇: | 記憶及びデータ記憶 |
最高供給の流れ-: | 60 mA |
特有な特徴
CMOS多目的な入力/出力との3.0ボルトの中心
65 nm MirrorBit食の技術
読書/プログラム/消去(3.6 V)のためのの単一の供給(VCC)への2.7ボルト
多目的な入力/出力の特徴–広い入力/出力の電圧範囲(VIO):1.65 VCCへのV
×16のデータ・バス
非同期32バイトのページは読んだ
512バイトのプログラミングの緩衝–、最大512バイトまでページの倍数でプログラムする
同じ単語の選択のの単語そして多数プログラム
の自動エラー チェックおよび訂正(ECC) –シングル・ビットのエラー修正を用いる内部ハードウェアECC
のセクターの消去–均一128 Kバイトのセクター
はプログラムおよび消去操作のための命令を中断し、再開する。
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