|
商品の詳細:
|
|
| 起源の場所: | 原物 |
|---|---|
| ブランド名: | Original |
| 証明: | ISO9001:2015standard |
| モデル番号: | MR0A08BCYS35 |
|
お支払配送条件:
|
|
| 最小注文数量: | 10pcs |
| 価格: | Contact us to win best offer |
| パッケージの詳細: | 標準 |
| 受渡し時間: | 1-3week幾日 |
| 支払条件: | L/C、T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal |
| 供給の能力: | 10000pcs/months |
|
詳細情報 |
|||
| パッケージ/キャビネット: | TSOP-44 | タイプのインターフェイス: | 平行 |
|---|---|---|---|
| シリーズ: | MR0A08B | 設置様式: | SMD/SMT |
| タイプのプロダクト: | MRAM | 単位重量: | 5.066 g |
| ハイライト: | MR0A08BCYS35 MRAM,SMTの磁気抵抗RAMメモリ,データ記憶の磁気抵抗RAMメモリ |
||
製品の説明
MR0A08BCYS35磁気抵抗RAMメモリ（MRAM）のEHHD024A0A41Z DE118-RS-20/6.35記憶データ記憶
特徴の利点
•1つの記憶はより簡単で、より有効な設計のためのシステムのフラッシュ、SRAM、EEPROMおよびMRAMを取り替える
•電池に支えられるSRAMを取り替えることによって信頼性を改善する
•3.3ボルトの電源
•速く35 nsの読み書き周期
•SRAMの多用性があるタイミング
•原産のnon-volatility
•無制限の読書及び持久力を書くため
•温度で>20年の間不揮発性データ常に
•商業および産業温度
•すべてのプロダクトはMSL-3湿気感受性のレベルにあう
•RoHS迎合的なTSOP2およびBGAのパッケージ
利点
•1つの記憶はより簡単で、より有効な設計のためのシステムのフラッシュ、SRAM、EEPROMおよびMRAMを取り替える
•電池に支えられるSRAMを取り替えることによって信頼性を改善する
| 製品カテゴリ: | MRAM |
| TSOP-44 | |
| 平行 | |
| 1 Mbit | |
| 128 k X 8 | |
| 8ビット | |
| 35 ns | |
| 3ボルト | |
| 3.6 V | |
| 55 mA | |
| - 40 C | |
| + 85 C | |
| MR0A08B | |
| 皿 | |
| 敏感な湿気: | はい |
| 様式の取付け: | SMD/SMT |
| 製品タイプ: | MRAM |
| 135 | |
| 下位範疇: | 記憶及びデータ記憶 |
| 単位重量: | 0.178707 oz |
あなたのメッセージを入れて下さい
