Walton Electronics Co., Ltd.

AT45DB161D-SU EMMCのメモリー チップ フラッシュ16M 2.7V 66Mhz

商品の詳細:
起源の場所: 原物
ブランド名: original
証明: ISO9001:2015standard
モデル番号: AT45DB161D-SU
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最小注文数量: 10pcs
価格: 6.47-7.56 USD/PCS
パッケージの詳細: 標準
受渡し時間: 1-3仕事日
支払条件: T/T、ウェスタン・ユニオン、PayPal
供給の能力: 10000pcs/months
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  • 製品の説明

詳細情報

記憶容量: 16 Mbit 様式の取付け: SMD/SMT
パッケージ/場合: SOIC-8 供給電圧: 2.7V-3.6V
最高のクロック周波数: 66のMHz FPQ: 90
ハイライト:

抜け目がない16M

,

AT45DB161D-SU EMMCのメモリー チップ

,

AT45DB161D-SU 16M 2.7V 66Mhz

製品の説明

AT45DB161D-SU元のSMD/SMTフラッシュ16M、2.7V、66Mhz DataFlash

 

特徴

•単一2.5V - 3.6Vか2.7V - 3.6V供給

•RapidS™のシリアル・インタフェース:66MHz最高のクロック周波数

– SPIの多用性があるモード0および3

•ユーザーの構成可能のページ サイズ

–ページごとの512バイト

–ページごとの528バイト

–ページ サイズは512バイトのために前もって構成される工場である場合もある

•ページ プログラム操作

–理性的なプログラミング操作

–主記憶操置4,096ページ(512-/528-Bytes/Page)

•適用範囲が広い消去の選択

–ページの消去(512バイト)

–ブロックの消去(4 Kバイト)

–セクターの消去(128 Kバイト)

–破片の消去(16-Mbits)

•2つのSRAMのデータ バッファ(512 /528バイト)

–抜け目がない配列をプログラムし直している間データの受け入れを許可する

•全体の配列による連続的な読まれた機能

–適用を尾行するコードのための理想

•ローパワー消滅

–典型的な7mA活動的な読まれた流れ

– 25μAスタンバイの現在の典型的

–典型的な15μA深い力

•ハードウェアおよびソフトウェア データ保護の特徴

–個々のセクター

•安全なコードおよびデータ記憶のためのセクターのロック式

–個々のセクター

•保証:128バイトの保証記録

– 64バイトのユーザーのプログラム可能なスペース

–独特な64バイトの装置識別子

•JEDEC標準的な製造業者および装置IDは読んだ

•ページの最低ごとの100,000のプログラム/消去周期

•データ保持

– 20年

•産業温度較差

•緑(迎合的なPb/Halide-free/RoHS)の包装の選択

 

AT45DB161D-SU EMMCのメモリー チップ フラッシュ16M 2.7V 66Mhz 0

 

抜け目がない
RoHS: 細部
SMD/SMT
SOIC-8
AT45DB161D
16 Mbit
2.7 V
3.6 V
SPI
66のMHz
2つのM X 8
8ビット
同期
- 40 C
+ 85 C
建築: 破片の消去
ブランド: 在庫の原物
記憶タイプ:
製品タイプ: 抜け目がない
速度: 66のMHz
標準: 支えられない
工場パックの量: 90
下位範疇: 記憶及びデータ記憶
最高供給の流れ-: 15 mA
単位重量: 0.019048 oz

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