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IS21ES08G-JCLI 8gb否定論履積のフラッシュ・メモリの破片3.3V 200Mhz

商品の詳細:
起源の場所: 原物
ブランド名: original
証明: ISO9001:2015standard
モデル番号: IS21ES08G-JCLI
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最小注文数量: 10pcs
価格: 48.18-50.79 USD/PCS
パッケージの詳細: 標準
受渡し時間: 1-3仕事日
支払条件: T/T、ウェスタン・ユニオン、PayPal
供給の能力: 10000pcs/months
  • 詳細情報
  • 製品の説明

詳細情報

記憶容量: 8 GB 構成: MLC
支えられた読書: 250 MB/s 支えられる書きなさい: 27.3 MB/s
作動の供給電圧: 2.7 Vから3.6ボルト FPQ: 152
ハイライト:

IS21ES08G-JCLI否定論履積のフラッシュ・メモリの破片

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否定論履積のフラッシュ・メモリの破片8GB 3.3V 200Mhz

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8gb否定論履積の抜け目がない破片3.3V 200Mhz

製品の説明

IS21ES08G-JCLIのeMMC 8GB 3.3V 200MhzのeMMC否定論履積のフラッシュ・メモリのデータ記憶

 

特徴

•eMMC 5.0インターフェイスとの包まれた否定論履積のフラッシュ・メモリ

•IS21/22ES08G:8Gigabyte

•eMMCの指定Ver.4.4、4.41、4.5、5.0と迎合的

•バス モード

- 高速eMMCの議定書

- クロック周波数:0-200MHz.

- 10ワイヤー バス(時計、1つのかまれた命令、8ビット・データ バス)およびハードウェア調整。

•3つのデータ・バス幅を支える:1つは(デフォルト)、4ビット、8ビットかんだ

- データ転送率:52Mbyte/sまで(52のMHzの8つの平行データ ラインを使用して)

- 単一のデータ転送速度:まで200Mbyte/s @ 200MHz (HS200)

- 二重データ転送速度:まで400Mbyte/s @ 200MHz (HS400)

•作動の電圧範囲:

- VCCQ = 1.8 V/3.3 V - VCC = 3.3ボルト

•サポートは装置が(pSLC)より高い読み書き性能、持久力および信頼性のために疑似SLCように形成することができるモードを高めた。

•誤りが無いメモリー アクセス

- データ通信を保護する内部エラー修正 コード(ECC)

- 内部高められたデータ管理のアルゴリズム-突然の電源異常、データ内容のための安全更新操作からの固体保護

•保証-サポート安全な不良ブロックの消去およびトリム命令

- 高められる永久的で、部分的な保護選択の保護を書きなさい

•分野ファームウェア更新(FFU)

•ブート パーティションおよびRPMBの仕切り

•高められた装置生命時間

•前にEOL情報

•生産の州意識•睡眠のための電源遮断の通告

•温度較差

- 産業等級:-40 ℃ | 85 ℃

- 自動車等級(A1):-40 ℃ | 85 ℃

- 自動車等級(A2):-40 ℃ | 105 ℃

•質-迎合的なRoHS (RoHSの詳しい宣言のために、あなたの代表に連絡しなさい。)

•パッケージ- 153 FBGA (11.5mm x 13mm x 1.0mm) - 100 FBGA (14.0mm x 18.0mm x 1.4mm)

 


IS21ES08G-JCLI 8gb否定論履積のフラッシュ・メモリの破片3.3V 200Mhz 0

eMMC
RoHS: 細部
IS21ES08G
8 GB
MLC
250 MB/s
27.3 MB/s
2.7 Vから3.6ボルト
- 40 C
+ 85 C
ブランド: 在庫の原物
敏感な湿気: はい
様式の取付け: SMD/SMT
パッケージ/場合: FBGA-153
プロダクト: eMMCの抜け目がないドライブ
製品タイプ: eMMC
工場パックの量: 152
下位範疇: 記憶及びデータ記憶
単位重量: 0.072361 oz

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