SRAM 2Mb EMMCのメモリー チップ256Kx8 10ns Async SRAM 3.3V

製品の説明

IS61LV2568L-10T SMD/SMT SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v

特徴

•高速アクセスの時間:8、10 ns

•動作電流:50mA （タイプ。）

•スタンバイの流れ:700µA （タイプ。）

•より大きいノイズ耐性のための多数の中心力および地面ピン

•セリウムおよびOEの選択の容易なメモリ拡張

•パワー セリウム

•TTLの多用性がある入出力

•単一3.3V電源

•利用できるパッケージ:– 36ピン400ミルSOJ – 44ピンTSOP （II）タイプ

•無鉛利用できる

記述

ISSI IS61LV2568Lは非常に高速、低い電力、8ビットCMOSの静的なRAMによる262,144単語である。IS61LV2568LはISSIの高性能CMOSの技術を使用して製造される。

革新的な回路設計の技術とつながれるこの信頼性が高いプロセスは高性能および低い電力の消費装置をもたらす。セリウムが（選択解除される）高くある時、装置は電力損失がCMOSの入力レベルとの36mWに（最高。）減らすことができる待機モードを仮定する。

IS61LV2568Lは単一3.3V電源から作動し、すべての入力はTTL互換性がある。IS61LV2568Lは36ピン400ミルSOJおよび44ピンTSOP （タイプII）のパッケージで利用できる。