MT40A512M16LY-075-E EMMCのメモリー チップのドラムDDR4 8G 512MX16

製品の説明

MT40A512M16LY-075-Eの元のドラムDDR4 8G 512MX16 FBGAの記憶データ記憶

特徴

•VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV

•VPP = 2.5V、– 125mV、+250mV

•オン ダイス、内部、調節可能なVREFDQの生成

•1.2V擬似オープン下水管入力/出力

•TCの温度較差で8192周期の時を新たになりなさい:– -40°Cへの85°C – >85°Cへの95°Cの32msの64ms – >95°Cへの105°Cの16ms

•16の内部銀行（x4、x8）:4つの銀行の4グループそれぞれ

•8つの内部銀行（x16）:4つの銀行の2グループそれぞれ•8nビット先取りの建築

•プログラム可能なデータ ストロボの序文

•データ ストロボの序文の訓練

•命令/住所潜伏（CAL）

•多目的記録の読書および機能を書くため

•Write水平になること

•自己によってはモードが新たになる

•ローパワー自動自己は新たになる（LPASR）

•温度調整された新たにしなさい（TCR）

•良い粒度は新たになる

•自己によっては飛行中止が新たになる

•最高の節電

•出力運転者の口径測定

•体言、公園および動的オン ダイスの終了（ODT）

•データ・バスのためのデータ・バス逆転（DBI）

•命令/住所（カリフォルニア）同等

•Databusは書く巡回冗長検査（CRC）を

•每ドラムのアドレス指定可能性

•結合性テスト

•迎合的なJEDEC JESD-79-4

•sPPRおよびhPPRの機能