Walton Electronics Co., Ltd.

DS1250Y-70IND+の記憶ICデータ記憶NVRAM 512kx8の平行

商品の詳細:
起源の場所: 原物
ブランド名: original
証明: ISO9001:2015standard
モデル番号: DS1250Y-70IND+
お支払配送条件:
最小注文数量: 10pcs
価格: 17-19.00USD/pc
パッケージの詳細: 管、巻き枠、皿
受渡し時間: 2-3仕事日
支払条件: T/TのWestsern連合、PayPay
供給の能力: 1000PCS/Months
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  • 製品の説明

詳細情報

パッケージ/場合: EDIP-32 インターフェイスの種類: 平行
作動の供給電圧: 5ボルト 構成: 512kx8
作動の供給の流れ: 85mA 様式の取付け: 穴を通して
ハイライト:

DS1250Y-70IND+の記憶IC

,

平行記憶IC 512kx8

,

DS1250Y-70IND+ NVSRAM

製品の説明

DS1250Y-70IND+の記憶ICデータ記憶NVRAMの平行原物

 

特徴
外部力のtheabsenceの最低データ保持10年の
データは電源切れの間に自動的に保護される
512k Xの8揮発静的なRAM、EEPROMまたはフラッシュ・メモリを取り替える
無制限周期を書きなさい
ローパワーCMOS
読書および70nsのライト・アクセスの時間を
リチウム エネルギー源は電気で力がはじめて適用されるまで新鮮さを保つために切られる
十分に±10%のVCC動作範囲(DS1250Y)
任意±5%のVCC動作範囲(DS1250AB)
-40°Cへの+85°Cの任意産業温度較差は、INDを示した
JEDEC標準的な32ピンすくいのパッケージ
PowerCapモジュール(PCM)のパッケージ
- 直接表面取付け可能なモジュール
- 取り替え可能なスナップ式のPowerCapはリチウム バックアップ電池を提供する
- すべての不揮発性SRAMプロダクトのための標準化されたpinout
- PCMの取り外しの特徴は規則的なスクリュードライバーを使用して容易な取り外しを可能にする

 

製品特質 属性値
製品カテゴリ: NVRAM
パッケージ/場合: EDIP-32
インターフェイスの種類: 平行
記憶容量: 4 Mbit
構成: 512 k X 8
データ・バス幅: 8ビット
アクセス時間: 70 ns
最高供給電圧-: 5.5 V
供給電圧-分: 4.5 V
作動の供給の流れ: 85 mA
最低の実用温度: - 40 C
最高使用可能温度: + 85 C
シリーズ: DS1250Y
包装:
高さ: 9.4 mm
長さ: 43.69 mm
様式の取付け: 穴を通して
作動の供給電圧: 5ボルト
製品タイプ: NVRAM
工場パックの量: 11
下位範疇: 記憶及びデータ記憶
タイプ: NVSRAM
幅: 18.8 mm
部分#別名: DS1250Y 90-1250Y+07I
単位重量: 31.592 g

 

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