MT61K256M32JE-14-A 8gb EMMCのフラッシュ・メモリのドラムのコントローラーIC GDDR6 8G 256MX32

製品の説明

MT61K256M32JE-14:元のドラムGDDR6 8G 256MX32 FBGAの記憶データ記憶

特徴

•VDD = VDDQ = 1.35V ±3%、1.25V ±3%、および1.20V – 2%/+3%

•VPP = 1.8V – 3%/+6%

•データ転送速度:12 Gb/s、14 Gb/s、16 Gb/s

•2つの別々の独立したチャネル（x16）

•調整で置かれるx16/x8および2-channel/pseudoチャネル（PC）モード構成

•指令アドレス（カリフォルニア）およびデータのためのチャネルごとの単一の終えられたインターフェイス

•2つのチャネルごとのカリフォルニアのための差動クロックの入力CK_t/CK_c

•1台の差動クロックの入力 データ（DQ、DBI_n、EDC）のためのチャネルごとのWCK_t/WCK_cを

•二重データ転送速度（DDR）命令/住所（CK）

•クォードのデータ転送速度（QDR）および動作周波数による二重データ転送速度（DDR）データ（WCK）、

•配列の読書ごとの256ビットとの16n先取りの建築またはライト・アクセスを

•16の内部銀行

•tCCDL = 3tCKおよび4tCKのための4人の銀行団

•プログラム可能な読まれた潜伏

•プログラム可能潜伏を書きなさい

•単一および二重バイトのマスクの粒度のカリフォルニア バスでデータ マスク機能を書きなさい

•データ・バス逆転（DBI）およびカリフォルニア バス逆転（CABI）

•入出力PLL

•カリフォルニア バス訓練:DQ/DBI_n/EDC信号によるカリフォルニアの入力監視

•EDC信号による段階情報のWCK2CKの時計の訓練

•データは読まれた先入れ先出し法（深さ= 6）によって訓練を読み、書く

•巡回冗長検査によって保証される読み書きデータ伝送の完全性

•プログラム可能なCRCは潜伏を読んだ

•プログラム可能なCRCは潜伏を書く

•司令官のためのプログラム可能なEDCの把握パターン

•EDCピンのRDQSモード